Нитридная керамика является высокоперспективным материалом для применения в различных областях от производства машин и инструмента до микроэлектроники. Нитридная керамика характеризуется стабильностью диэлектрических свойств, высокой механической прочностью, термостойкостью, химической стойкостью в различных средах.
Большой потенциал для практического применения в микроэлектронике имеет керамика на основе нитрида алюминия (AlN). Керамика на основе нитрида алюминия обладает уникальным сочетанием физических и электрических характеристик: аномально высокой теплопроводностью, хорошими электроизоляционными свойствами, умеренным коэффициентом теплового расширения, фотоэлектрическими свойствами, сохранением работоспособности в широком диапазоне температур.
Такими свойствами обусловлена высокая перспектива применения AlN в микроэлектронике для:
В настоящее время нами получены методами осаждения из сепарированной плазмы вакуумной дуги на подложках из алюминия и стали однородные слои AlN толщиной до 20 мкм с напряжением пробоя не менее 1000 В. Ведется разработка технологии получения подложек из AlN для термоэлектрических преобразователей на основе элементов Пельтье и подложек для светодиодов.