Вакуумные камеры

 

ИСТОЧНИКИ ПЛАЗМЫ

Источник сепарированной газометаллической плазмы

Прямоточный источник плазмы - испаритель

Имплантер

ИСТОЧНИКИ ПЛАЗМЫ

УЗЛЫ И СИСТЕМЫ

УСТАНОВКИ

Источник сепарированной газометаллической плазмы SPS-1.

Электродуговой источник с сепарацией потока плазмы SPS-1 (Separated Plasma Source) открывает новое направление в вакуумной электродуговой технологии. Источник не только позволяет получать качественно новые покрытия в традиционной области применения плазменного электродугового метода - нанесение упрочняющих и других функциональных покрытий на инструмент и детали машин, но открывает возможность получения высокоэффективным электродуговым методом покрытий и материалов для таких областей промышленности как электроника, производство МЭМС - МикроЭлектроМеханических Систем и других микросистем, создание новых функциональных наноструктурированных материалов и наносистем.

Ниже приведены схема источника, фотографии источника с закрытым и открым катодным узлом и примеры работы источника в аргоне и азоте.

 

 

 

 

Электродуговой источник с сепарацией потока плазмы SPS-1 формирует газометаллический пучок плазмы очищенный от микро- и нейтральных частиц с высокой степенью ионизации как металлической так и газовой составляющих. Источник позволяет управлять соотношением компонент (газовой и металлической) в потоке плазмы. В таблице приведены основные эксплуатационные характеристики источника. Для сравнения, в правой части таблицы, приведены эксплуатационные характеристики традиционного прямоточного источника плазмы - испарителя - установки ННВ-6.6.

  № 

Наименование

Источник SPS-1Традиционный испаритель

1

2

3

4

5

6


 Сечение потока плазмы, см2

 Номинальный ток дуги, А

 Потребляемая мощность, кВт

 Расход катода (титан), г/ч

 Скорость нанесения покрытий, мкм/ч

 Скорость травления подложки, мкм/ч


600

200

6,5

32,5

до 40

до 8


500

100

3,1

18,7

до 25

практически нет

На рисунке ниже приведены: слева - распределение скорости осаждения материала по поперечному сечению пучка на подложку, расположенную на расстоянии 160 мм от выхода источника плазмы; справа - распределение толщины покрытия по "глубине" - по боковой поверхности, параллельной направлению потока плазмы. С равномерностью до 20% диаметр "пятна" нанесения покрытия составляет 300 мм, а "глубина - 50 мм.

На рисунке ниже приведена зависимость скорости травления подложки из стали 3 от ускоряющего напряжения при работе источника в режиме аргоновой газовой плазмы - "запертом" для ионов металла.

Материалы и покрытия, получаемые с источником SPS-1, имеют однородную структуру и "гладкую" поверхность без повреждения каплями и микрочастицами. Посмотрите подробнее о структуре наших материалов и морфологии поверхности покрытий.

Посмотрите о свойствах и особенностях покрытий и материалов, получаемые с источником SPS-1.

Возможности и особенности технологий получения материалов и покрытий с источником SPS-1 изложены на странице "Технологии".

Электродуговой источник с сепарацией потока плазмы SPS-1 это принципиально новые возможности плазменного электродугового метода не только в традиционных областях применения, но и в областях создания функциональных покрытий в микроэлектронике, создания новых функциональных наноструктурированных материалов и наносистем и других областях.