Вакуумные камеры

 

УСТАНОВКИ

ИСТОЧНИКИ ПЛАЗМЫ

ПОКРЫТИЯ
Структура

Свойства


НОВЫЕ РАЗРАБОТКИ

Установка для нанесения толстых покрытий на крупногабаритные изделия сложной формы (ВИТ 20).

Нитридная керамика.

Керамоподобные материалы и покрытий на основе Al2O3 (сапфир).

Диффузионные барьеры и контактные слои для микроэлектроники.

Наноразмерные углеродные и алмазоподобные покрытия (DLC).

Диффузионные барьеры и контактные слои

Сроки службы многих приборов микроэлектроники ограничены процессами встречной диффузии атомов различных элементов в местах контактов разнородных материалов. Для предотвращения встречной диффузии атомов и увеличения срока службы приборов применяют диффузионные барьерные слои, разделяющие различные материалы в месте их контакта. Эффективность барьерного слоя зависит от его структуры, размера зерна и т.д. Наша технология CALT SID обеспечивает получение высокоэффективных барьерных слоев.

В том числе, разработано барьерное покрытие для термоэлектрических модулей на основе теллурида висмута (Bi2Te3), предотвращающее встречную диффузию атомов меди в термоэлектрический материал и атомов термоэлектрического материала в медный электрод в месте их контакта. Разработка выполнена совместно с Центром нанотехнологий, нано- и микросистемной техники МГТУ им. Н.Э. Баумана (директор Башков В.М., зав. лаборатории Беляева А.О.).

На рисунках показаны диффузионные карты меди и теллура по поперечному срезу (шлифу) элемента термоэлектрического модуля для барьерных слоев, полученных по технологии CALT SID, и типовых барьерных слоев, применяемых в настоящее время. Диффузионные карты получены после отжига термоэлектрических модулей в течении 5 часов при температуре 250 С0. Концентрация белых точек на рисунках соответствует концентрации соответствующего элемента.

Видна высокая эффективность барьерного слоя CALT SID по сравнению с типовым барьерным слоем, применяемым в настоящее время. Для данных условий отжига, встречная диффузия атомов меди и атомов термоэлектрического материала барьерным слоем CALT SID практически "остановлена". Неровная граница между термоэлектрическим материалом и медным контактным слоем в случае барьерного стоя CALT SID обусловлена первоначальной формой поверхности теллурида висмута.